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DS半球发射率测量仪

DS半球发射率测量仪

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更新日期: 2016-04-06
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本发射率测量仪是用于测量发射率的设备。

DS半球发射率测量仪的详细资料:

 【产品概述】

本发射率测量仪是用于测量发射率的设备。主要特点为:

1. 重复性:±0.01 辐射单元

2. 操作简单:该设备的探测器部分可以电加热,所以样品无需加热。无需进行温度测量。

3. 快速测量:设备本身预热时间为30 分钟,之后每1.5 分钟可以进行一次辐射测量。

在150F(65℃)时,发射率测量仪的发射率测量值接近全半球发射率。探测器只对辐射热转移有反应,该设计满足电压随发射率成线性输出。数字电压表是发射率测量仪的读出设备,右下角处设有一个调节钮,通过调节该钮,可以使读出的电压数与校准标样的发射率保持*。之后,当发射率测量仪的探测器被放置在待测材料表面上时,数字式电压表便会直接显示发射率数值。

发射率测量仪可以对横截面直径5.7 厘米的平面材料进行测量。其适配器1 和适配器3 可以实现对横截面直径为2.54 厘米的平面材料进行测量。我们也可以根据用户的需求定制用于圆柱形表面及其他表面测试的适配器。测量发射率需要两个步骤:

1. 将发射率探测器置于高发射率标样之上,调节数字电压表的读数,以显示其发射率;

2. 将发射率探测器置于被测样品之上,从数字电压表直接读出其发射率。

【发射率测量仪技术规范】

1. 读数:通过数字电压表读出数据

2. 输出:2.4 毫伏额定电压,样品发射率0.9,样品温度78F(25℃)。额定输出电阻150欧。

3. 线性:探测器线性输出,发射率在+/-0.01 单位以内。

4. 时间常数:额定10 秒(时间达到zui终值的63%)

5. 热槽:用于保持校准标样和待测材料处于同一温度下

6. 样品温度:zui高130F。样品和校准标样必须处于同一温度下。

7. 偏差:由于室温的变化,输出将随时间变化。该偏差可忽略。

8. 标准样品:随发射率测量仪将交付4 个校准标样,两个高发射率校准标样和两个低发射率校准标样。一套高低发射率校准标样将在工作中使用,另一套将作为参照物被存储。工作标样将定期根据存储标样进行降解测试。

9. 直流功率适配器:通用直流适配器,100-240V,50-60Hz,直流12W。使用美标电源线。

发射率测量仪系统包括发射率探测器、用于直接读取发射率的数字式电压表、功率/输出线缆、热槽、两个高发射率校准标样、两个低发射率校准标样、技术注解和操作手册。


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